Samsung , geçen ay Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini kullanarak 3 nanometre (nm) üretim düğümüne dayalı çipler üretmeye başladığını söyledi.
Şirket bugün bir Kore etkinliğinde, Hwaseong Kampüsündeki V1 hattında (yalnızca EUV) Gate All Around teknolojisi kullanılarak yapılan ilk 3nm çipin sevkiyatına başladığını açıkladı.
“Dünyanın en iyisi olmak için yenilikçi teknolojiyle ilerleyeceğiz” inancıyla Samsung Electronics’in Döküm Bölümü, 3-nano GAA sürecinin seri üretimi ve önleyici döküm teknolojisi yoluyla işinin rekabet gücünü artırmayı hedefliyor. .
SAMSUNG
Samsung’a göre, etkinliğe Samsung Electronics CEO’su Kye Kyung-hyeon, Ticaret, Sanayi Bakanı ve Enerji Changyang Lee, tedarikçiler, masallar ve 3nm GAA Ar-Ge ve seri üretim yapan yöneticiler ve işçiler dahil olmak üzere yaklaşık 100 kişi katıldı.
Samsung’a göre, Pyeongtaek Kampüsü sonunda 3-nano GAA çip üretiminin eklenmesini görecekti. Samsung’un yarı iletken işindeki en büyük rakibi olan TSMC’nin 3nm çip üretimine 2022’nin 4. çeyreğinde başlaması bekleniyor.
Geçen yılki bir rapora göre AMD ve Qualcomm , Samsung’un yeni ileri teknoloji sürecinin ilk müşterileri arasında olabilir. Raporda ayrıca Nvidia’nın Samsung’dan 3nm düğümü benimseyen ilk markalar arasında olabileceğine de değinildi, ancak şirketin son zamanlardaki çifte rezervasyon sorunları bu olasılık hakkında büyük bir soru işareti bıraktı.
